Tinh thể trong công nghệ
Silicon đơn tinh thể: phương pháp Czochralski kéo thỏi silicon làm chip
Chip làm trên tấm cắt từ thỏi silicon đơn tinh thể, kéo chậm từ nồi silicon nóng chảy 1.414 °C theo phương pháp Czochralski, từ mầm qua cổ thắt đến thân thỏi.