Silicon đơn tinh thể: phương pháp Czochralski kéo thỏi silicon làm chip
Chip làm trên tấm cắt từ thỏi silicon đơn tinh thể, kéo chậm từ nồi silicon nóng chảy 1.414 °C theo phương pháp Czochralski, từ mầm qua cổ thắt đến thân thỏi.
Chip làm trên tấm cắt từ thỏi silicon đơn tinh thể, kéo chậm từ nồi silicon nóng chảy 1.414 °C theo phương pháp Czochralski, từ mầm qua cổ thắt đến thân thỏi.
Tinh thể trong công nghệ
Đơn tinh thể có mạng liền mạch, đa tinh thể gồm nhiều hạt ghép qua ranh giới, vô định hình không có trật tự xa. Cùng SiO₂ mà thành thạch anh, mã não hay thuỷ ti